-
1 Dotierung
сущ.1) общ. дотация2) тех. введение добавок, введение примесей, внедрение, концентрация примесей, легирование примесью, распределение примесей, добавление примесей (в полупроводник)3) экон. дотирование, предоставление дотации4) радио. введение примесей (в полупроводник)5) электр. (легирующая) легирующая добавка, (легирующая) примесь, концентрация (легирующей) примеси, введение примеси (в полупроводник), легирование (полупроводников введением примесей), легирование (примесью)6) нефт. легирование (катализатора)7) микроэл. введение примесных атомов, внедрение примесных атомов, легирующая добавка, степень легирования, уровень легирования, концентрация примеси, примесь -
2 Dotieren
сущ.1) радио. введение примесей (в полупроводник), добавление примесей (в полупроводник), концентрация примесей, легирование примесью, распределение примесей2) электр. легирование (полупроводников введением примесей)3) микроэл. введение примесных атомов, внедрение примесных атомов, допирование, легирование (примесью) -
3 dotieren
сущ.1) радио. введение примесей (в полупроводник), добавление примесей (в полупроводник), концентрация примесей, легирование примесью, распределение примесей2) электр. легирование (полупроводников введением примесей)3) микроэл. введение примесных атомов, внедрение примесных атомов, допирование, легирование (примесью) -
4 Dopen
сущ.1) тех. введение примеси, введение примесных атомов (в полупроводник), легирование (полупроводника)2) радио. допирование (примесью)3) электр. легирование (полупроводников введением примесей)4) микроэл. добавление примесей, допирование, легирование (примесью) -
5 dopen
сущ.1) тех. введение примеси, введение примесных атомов (в полупроводник), легирование (полупроводника)2) радио. допирование (примесью)3) электр. легирование (полупроводников введением примесей)4) микроэл. добавление примесей, допирование, легирование (примесью)
См. также в других словарях:
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
Твёрдое тело — одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от др. агрегатных состояний (жидкости (См. Жидкость), Газов, плазмы (См. Плазма)) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ — разность потенциалов, возникающая между разными контактирующими проводниками в условиях термодинамич. равновесия. Если два тв. проводника привести в соприкосновение, то между ними происходит обмен эл нами. В результате проводники заряжаются (с… … Физическая энциклопедия
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Контактная разность потенциалов — разность электрических потенциалов, возникающая между контактирующими телами в условиях термодинамического равновесия. Наиболее важно понятие К. р. п. для твёрдых проводников (металлов (См. Металлы) и полупроводников (См. Полупроводники)) … Большая советская энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ — в ва, используемые в качестве активных сред лазеров. Осн. Л. м. диэлектрич. кристаллы и стекла, полупроводниковые кристаллы, газы, неорг. жидкости и р ры красителей. Диэлектрич. кристаллы и стекла активные среды твердотельных лазеров. Излучение в … Химическая энциклопедия
РАБОТА ВЫХОДА — энергия Ф, к рую необходимо затратить для удаления эл на из твёрдого или жидкого в ва в вакуум (в состояние с равной нулю кинетич, энергией). Р. в. Ф=еj, где j потенциал Р. в., е абс. величина электрич. заряда электрона. Р. в. равна разности… … Физическая энциклопедия
СССР. Естественные науки — Математика Научные исследования в области математики начали проводиться в России с 18 в., когда членами Петербургской АН стали Л. Эйлер, Д. Бернулли и другие западноевропейские учёные. По замыслу Петра I академики иностранцы… … Большая советская энциклопедия
ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — механизм электропроводности тв. тел, связанный с «перескоками» эл нов, локализованных в пр ве, из одного состояния в другое. П. п. наблюдается в неупорядоченных системах, у к рых электронные состояния, локализованные в разных местах, имеют разную … Физическая энциклопедия